最近，长江存储的Xtacking4.0技术让人眼前一亮，虽然我们仍依赖西方的光刻工具，但在SSD领域的进展已经不容小觑。

　　中芯国际又是如何在没有EUV光刻机的情况下成功制造出7nm芯片的？这样一些问题都可以让我们深入探讨！

　　在半导体技术日新月异的今天，中国科学院在EUV技术的研发上已经投入了大量的资金和人力，虽然目前还无法完全掌握这一核心技术，但我们正真看到SMEE在NIL技术上已经有了显著的进展和投入。

　　以往提到半导体设备，我们总是将目光投向ASML这样的西方巨头，因为只有他们才能生产出最先进的EUV光刻机，其他几个国家的企业想要追赶，就没有希望。

　　但是最近，TechInsights在分析长江存储新发布的SSD时发现，其中竟然应用了Xtacking4.0技术，这一技术的亮点在于可以大幅度提高SSD的读写速度和能效比。

　　长江存储作为国内闪存存储器领域的一颗新星，能够在极短的时间内推出这样的技术成果，已经让人刮目相看了。

　　更何况，虽然我们大家都知道长江存储在SSD中使用了Xtacking4.0技术，但根据目前公开的信息来看，他们仍然依赖于西方国家的光刻工具。

　　这就让人感到有些矛盾了，为什么长江存储能在闪存技术上取得如此领先的地位，却依然无法完全摆脱对西方工具的依赖呢？

　　TechInsights给出的分析是，长江存储虽然在SSD上使用了Xtacking4.0技术，但实际上他们的光刻工艺还不够成熟，无法独立完成芯片上的图案转移，因此不得不借用西方国家光刻机的成果。

　　即便如此，我们仍就可以看到国产设备逐步替代进口设备的趋势，这是一种积极向上的信号。

　　如果再往前追溯，我们会发现EUV光刻机在国内也是一个相对冷门的话题，因为很少有人提到东方大国公司能够生产出EUV光刻机。

　　此前我们从始至终在强调EUV设备的重要性，那是因为它代表着半导体制造工艺的顶尖水平，只有掌握了EUV光刻机的技术，才能够生产出10nm及以下工艺节点的芯片。

　　而10nm以下的工艺节点又代表着更高的性能、更低的功耗和更强的竞争力。可以说，EUV光刻机就是半导体行业的一把钥匙，谁掌握了这把钥匙，谁就能够进入一个全新的世界。

　　可惜的是，中国虽然在这方面投入了大量资金，但由于美国施压，我们始终没有办法获得最新款的EUV设备。

　　虽然有一些非正式渠道表示我们已经买到了二手EUV设备，但很多人对此持怀疑态度，认为这不过是官方的一种自我安慰罢了。

　　我们无法判断这种二手设备是否能够满足国内企业的需求，也不知道其性能是否足够优秀。

　　在这种情况下，我们不得不承认，东方大国在EUV光刻机上与西方国家存在着巨大的差距。

　　那么问题来了，如果连最先进的EUV设备都没有办法获得，那我们该如何生产出10nm以下工艺节点的芯片呢？

　　根据最新的信息，中芯国际已经成功地通过浸润式DUV光刻机加自对准四重图形化技术实现了7nm芯片的制造。

　　这里需要解释一下什么是DUV光刻机，其实简单来说就是深紫外光刻机，相对于EUV光刻机来说，它的波长要大很多。

　　以ASML生产的EUV光刻机为例，它的波长仅有32nm，而DUV光刻机的波长则达到了248nm或者193nm。

　　DUV光刻机虽然无法与EUV光刻机抗衡，但凭借着多重曝光和图形化技术，依然可以在7nm工艺上大显身手。

　　中芯国际是通过浸润式DUV光刻机加自对准四重图形化技术成功制造出了7nm芯片。

　　这是什么概念？这在某种程度上预示着，中芯国际已经具备了与台积电和三星正面交锋的实力，因为后者两家目前7nm工艺节点的芯片都是独占鳌。

　　而中芯国际若能够量产的话，将会成为继台积电、三星之后，又一家拥有7nm制程能力的企业。

　　而且从长远的发展来看，如果中芯国际能够继续攻克7nm工艺中的各种难关，那么8nm、9nm甚至更高工艺节点也将会成为水到渠成的事情。

　　根据中芯国际官方给出的介绍，这项技术主要是解决传统DUV光刻机不足以满足7nm工艺分辨率要求的问题。

　　具体来说，是通过4个图形一起进行曝光，并且利用先进的算法来进行实时校准，来保证每个图形之间的精确对位。

　　这样一来，不仅解决了分辨率的问题，而且还大幅度提高了工作效率，节省了大量的成本和时间。

　　半导体行业的竞争真是日趋激烈，中国在技术上虽然面临诸多挑战，但长江存储和中芯国际的努力让人看到了希望。

　　未来的发展值得期待，你觉得我们的半导体技术能否迎头赶上西方巨头？欢迎在评论区留言讨论，别忘了点赞支持哦！

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